芯片大師近期報道故技重施！美國正阻止EUV光刻機進入海力士中國廠，11月22日，韓國半導體工業(yè)協(xié)會成立30年紀念活動在首爾舉辦。與會期間，SK海力士CEO 李錫熙和媒體交流時談到了無錫海力士半導體工廠相關情況。
關于EUV光刻機進廠可能延期的問題，李錫熙表示，正與美方合作，進展良好。EUV光刻技術已經在韓國本土的DRAM產線上應用，中國工廠還有充足的時間供斡旋溝通。
據(jù)悉，SK海力士將基于EUV光刻機制造10nm（1A） DRAM芯片，也就是第四代內存芯片，而本次計劃擴產EUV工藝的中國無錫工廠同樣計劃應用相關技術。
美國貿易代表戴琪在最近訪問首爾期間表示，“出于合法擔憂，更多的此類舉措是可能的”。
資料顯示，無錫海力士工廠的DRAM產能大約占SK海力士全球產能的50%，而SK海力士的DRAM全球市占率為27.2%，僅次于三星。
