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消息:俄將投2400億實現(xiàn)28nm芯片設計與制造

來源:貼片電容 發(fā)布時間:2022-04-19 瀏覽:391

近日據(jù)俄羅斯媒體報道,該國已經制定了龐大的芯片替代計劃,希望在2030年前投資3.19萬億盧布(約合2464億元人民幣)實現(xiàn)28nm工藝的芯片設計及制造。


圖片

圖:俄羅斯自行設計的芯片


據(jù)報道,這個計劃早在今年2月份就有了初步版本,內容非常龐雜,涉及到半導體產業(yè)的多個方面,從芯片設計到芯片制造,再到半導體人才無所不包。


在芯片設計上,俄羅斯計劃啟動重新設計國外開發(fā)的芯片,并將生產轉移到俄羅斯及中國,預計在2024年實現(xiàn)所有領域100%的進口替代,2030年形成俄羅斯自己的技術產品組合,這個項目耗資大約是1.14萬億盧布。


基礎性的芯片制造預計投資4600億盧布,預計今年開始生產90nm工藝的芯片,2030年掌握28nm工藝生產——臺積電早在2010年就量產了28nm工藝,不過考慮到俄羅斯的基礎,8年后掌握28nm芯片生產并不算過分的要求,還是有可能實現(xiàn)的。


俄羅斯不僅重視芯片設計和制造,同樣也會重點關注市場,預算中的1.28萬億盧布就是用于提高市場需求,計劃2030年將俄羅斯電子產品在家庭中的覆蓋率提升到30%,公共采購市場則要達到100%。


還有一個就是人才培養(yǎng),這部分的投資預算是3090億盧布,計劃創(chuàng)建400個電子產品原型,開展2000多個研究項目,大學生的轉化率從5%提升到35%,同時還要培育1000個以研究中心為基礎的項目團隊。



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